National Semiconductor Corporation

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Company Profile:

National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.

中鋁薄膜或多晶矽指揮家在晶界的結果，高電流密度的微粒遷移。電遷移可以導致相鄰的連接器之間導體中的任何一個開放的電路條件或短。

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損壞或退化的靜電放電服從結果作為的易感性。通常很高的比 MOS 器件雙極。

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積累靜電（通常在低電流的高電壓）的從一個收集器為另一種，通常是由兩者之間跳氣隙放電。

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元素

微電路的直接有助於其電氣特性的低窪可區分的部分。

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封裝

封裝式或模壓的設備"灌封膠"的過程。

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這些試驗中密封手術後的程式集，以便確認設備裝配品質的進行。測試通常包括這種螢幕的鎮定烘烤、恒加速度、溫度迴圈，和密封性試驗。

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單晶矽材料存放到正在形成的圖層具有相同的基板材料晶體方向的這種方式中的襯底上的圖層。（通常稱為"計畫免疫"。）

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其內容可以通過程式設計的過程（通常熱電子注入）建立並可以完全擦除暴露于紫外線的持續時間（通常為 30 分鐘）記憶體設備。時正確地抹去，設備可以被重新程式設計。

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共晶

有可能從這些金屬的任意組合的最低的熔點與兩個或更多金屬的合金。的共晶熔點通常會要麼在純淨的金屬的熔點較低。

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蒸發

在處理期間導電金屬，通常是鋁存放晶圓片表面以便在每個模具上提供電氣互連的各項活動內容的晶圓的最後步驟之一。金屬化也可能通過濺射來完成。

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