National Semiconductor Corporation

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National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.

拉強調所有電線上的所有設備或設備從給定的多力以低於最低拉到的樣本的強制為破壞性債券拉施加的限制。

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設備採購的編寫規範的承包商，而不是編寫規範的政府。

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通過放置一個 N 型發射器和 N 型收集器之間的 P 型基地建造的電晶體。發射器是通常負為基地，收集器是通常正面對基地。

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n 型

在其中的大多數運營商是電子，因此負面的半導體材料。

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燒傷中（即，接觸高溫應用電氣偏）執行擴展的持續時間（通常在 125 ° C 的一千小時）。通常樣本測試。

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分離的電路元件在半導體設備通過建設的屏障氧化之間的元素（不要混淆的隔離完全下穿過電路元件的介質隔離。

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積體電路、半導體晶片大小，單位面積的元素的數量經常表達的閘門等效項的數目。

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測試的設備的數量（通常通過印刷電路板的測試人員與介面上安裝的設備來完成）同時也相對的串列測試的一次測試一個設備。

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彌漫的電路元件之間的互動。寄生的 A 好例子就是收集器系列電阻 (寄宿) 電晶體和相關聯的電容的收集器-基交界處。其實，埋層用於減少收集器阻力擴散 N + 。性質的電流半導體技術，也就無法消除這些寄生效應。凡很重要，對他們的電路上的影響，或電路設計，利用這些寄生藥物時，它們顯示在示意圖上。

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氣體或液體的清潔度，通常每立方英尺的部分中所述的測量比例。例如，類 10 工作區域會之一，其中載有不超過 10 粒子大於一微米大小每立方尺的空氣中。

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