- Industri: Semiconductors
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National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
擴散的電路元件之間的相互作用。A 的寄生蟲有很好的例子將電晶體和關聯的收藏家向基體交界處的電容的收集器系列電阻 (RSAT)。事實上，埋層 N + 擴散用來減少收集器阻力。的當前性質半導體技術使不可能消除這些引起的寄生現象。在其對電路的影響是重大的或當電路設計，利用這些寄生效應，它們顯示在原理圖上。
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在哪個 MOS 電晶體通過橋接擴散兩個相鄰 P 型 （源和排水管） 用電介質 (門) 形成的 MOS 過程。源和基體都接地和一個負電壓應用於門，正電荷 （P-通道） 導電片材時是在表面下電介質基體中創建的。
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很多，可能會 100%篩選步驟失敗沒有拒絕該地段的最大百分比。PDA 預計可能會出現在很多異常的高百分比的失效機理可能出現在以後的時間，在該地段的平衡。它應，因此，不能用於的螢幕哪裡可以觀察到和 （如內部視覺或 x 射線） 中刪除所有有缺陷的設備。
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