- Industri: Semiconductors
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National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
通常 ° C/W の点で述べたように、それはパッケージの操作中に、チップによって生成される熱を放散する能力の指標です。?JC は半導体ジャンクションとケース; 間の熱抵抗であるパッケージに半導体接合によって生成される熱を渡すチップの能力の指標ですか？ JA は半導体接合と周囲の環境や周囲の空気に熱チップを渡す場合の能力の指標間の熱抵抗。
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A corrosion that results from the interaction of gold with aluminum that contains more than 2% silicon. At temperatures greater than 167°C, the silicon will act as a catalyst to create an aluminum-gold alloy. The resulting metallic migration results in gaps (called Kirkendall voids) in the gold-aluminum interface. Bimetallic contamination can decrease bond wire adhesion and can lower current carrying capability at the interface. In extreme cases, bond wires will actually lift from the pad. Bimetallic contamination is frequently referred to a§ "purple plague."
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同様に温度サイクル環境は、液体、および転送は即時であることを除いて。0 ° C ~ + 100 ℃ から 15 サイクル実行通常、パッケージのシールのはるかに深刻なストレスありサンプル単位でだけ通常採用されています。
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デバイスまたは電流を運ぶ領域と基板の異極性 (TTL 回路を構成するために使用により PNP と NPN トランジスタ） などのプロセス。正孔と電子の両方は、バイポーラ ・ デバイスで運ばれます。BI FETTM などのいくつかの技術はバイポーラとユニポーラを組み合わせます。
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その格納されているデータのコンテンツが （通常、金型の表面上のヒューズ リンクの吹く含む） プログラミングのプロセスを通じて、個々 のデバイスごとに確立されるメモリ デバイスです。Eprom、Eeprom とは異なりプロムスの消去および再プログラムことはできません。
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過渡的オーバー ストレスからデバイス回路の一部を保護する目的 (通常、デバイス入力に隣接) 半導体デバイス上に作製した回路要素。保護装置のよい例をその放電のゲート酸化膜の破裂を防ぐために静電気を吸収し、CMOS デバイス上の入力ダイオードになります。
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