National Semiconductor Corporation

Industri: Semiconductors

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Company Profile:

National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.

薄膜

任意膜厚 5µ (5 X 104) より小さい通常真空入金またはスパッタリング法によって形成されました。

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接続先にパッケージのポストまたは土地の領域のエッジ (決してダイ上のボンディングパッド) ボンディングマシンをクリアするため余分な結合。

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デバイスは、立ち下がりを認識電圧レベルまたは論理状態の変更として上昇電圧。

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社債の強度を決定する破壊にボンド細線の引っ張る。

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ブレーズ・フィードスルーパッケージ側を通過するのではなく、パッケージの裏面をリードとフラットパック。

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デバイスのはんだディップを誤用一般的用語リード（はんだディップを参照）。

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Subcircuitry は、所定の間隔でまたは外部コマンドに基づいて自体をテストする回路をそのように回路に設計されています。

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(たとえば、衛星地球のヴァン・アレン帯で発生した) と放射への長期暴露により蓄積された放射線。

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従来の CMOS 集積回路プロセスというそれらがサファイアなどの基板上ではなくバルクシリコンに拡散します。

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これらの特性のハードウェアまたはソフトウェアとハードウェアと新しいシステムのソフトウェアと両立できるようにインターフェイスの別のシステムに 1 つのシステムからその移管できます。

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